Translate Traducir Fanyì
Contacto
Master Online Oficial Europeo
Sigue nuestro RSS Siguenos en Facebook Siguenos en Tuenti Siguenos en Twitter Sigue nuestro canal de youtube
01 de Octubre de 2012
ESPANA
Propiedade industrial dunha topografía de semiconductores
ADMINISTRADOR | espana
Este tipo de transistores poden empregarse no deseño de compoñentes para os sistemas utilizados en satélites ou medicina nuclear

pQz0DE66WB40.jpeg

A investigadora do CiTIUS Paula López Martínez obtivo, a través da Área de Valorización, Transferencia e Emprendemento da USC, o primeiro título de propiedade industrial dunha topografía de semicondutores acadada por unha universidade española. A topografía de semicondutores, que garda o deseño dos circuítos integrados, serve neste caso  para protexer unha estrutura que emprega transistores tipo "donut" con xeometrías cadrada, hexagonal e octogonal para amplificadores de alta velocidade e que presentan maiores prestacións que os transistores de topoloxía convencional. 
O ámbito de aplicación deste tipo de transistores son os circuítos de alta velocidade e baixo consumo de potencia, que teñen a vantaxe de presentar unha inherente robustez fronte á radiación. Así, poderían usarse no deseño de compoñentes de sistemas de medicina nuclear ou de satélites, ambientes nos que a circuitería soporta grandes doses de radiación.
Paula López forma parte do Grupo de Visión Artificial do CiTIUS, que conta cunha ampla experiencia no deseño e fabricación de circuítos integrados para tarefas de visión artificial, tales como cámaras de alta velocidade e sistemas de videovixilancia.
Topografía de produtos semicondutores
Os títulos de protección de topografías de produtos semicondutores son a tipoloxía de propiedade industrial máis recente e refírese aos circuítos integrados electrónicos. O seu obxectivo é protexer o esquema de trazado das capas e elementos que compoñen o circuíto integrado, a súa disposición tridimensional e interconexións, é dicir, os elementos que constitúen a súa "topografía". 
Esta clase de propiedade industrial ten unha duración de dez anos a partir da fin do ano en que se rexistra a topografía ou se explota por primeira vez.